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首頁晶振最新行情 32.768K晶振振蕩頻率產(chǎn)生變化原因分析極其解決方法

32.768K晶振振蕩頻率產(chǎn)生變化原因分析極其解決方法

來源:http://www.cecs.net.cn 作者:taiheth 2012年05月19

       32.768K晶振廣泛的運(yùn)用打到石英表,手機(jī)到家庭內(nèi)的各種家電產(chǎn)品以及數(shù)字線路板等。是KHZ頻帶音叉型振蕩器器件。分插件和貼片晶振兩種,晶振的作用是提供頻率信號(hào)給實(shí)時(shí)時(shí)鐘IC。若晶振的頻率有所偏移,時(shí)間的表示就會(huì)不精準(zhǔn)。首先了解一個(gè)實(shí)時(shí)案例

    客戶是做手機(jī)的廠商,開發(fā)基頻電路的設(shè)計(jì)部門負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)手機(jī)搭載的時(shí)鐘電路。一般,時(shí)鐘電路是由音叉型振蕩器件以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘IC所構(gòu)成。 
  用32.768K晶振的振蕩器件,輸入頻率信號(hào)給IC。IC內(nèi)部會(huì)建構(gòu)有分頻電路,連續(xù)除以二進(jìn)行15回合,產(chǎn)生了1Hz的信號(hào),做成1秒鐘。 
  問題的發(fā)生是手機(jī)廠商變更為更小型的晶振之后,發(fā)覺振蕩頻率變?yōu)?2.77075KHz(增加了84ppm)。因此,每一天約超前了7.26秒。一個(gè)月下來就超前了3分半,大幅超越了該公司訂下的容許范圍。(該公司所訂的基準(zhǔn)是每一個(gè)月常溫下必須維持1分鐘的誤差之內(nèi)。) 
  注:原本采用的振蕩器件尺寸7.0mm×1.5mm×1.4mm,換成了3.2min×1.5mm×0.8mm的小型器件,體積僅有原來的四分之一,可以省空間。 
  發(fā)生問題后,經(jīng)過內(nèi)部的討論一致認(rèn)為問題該是出于振蕩器件的“負(fù)載電容”的差異。透過實(shí)際的測(cè)試之后,原來晶振負(fù)載為7pF,新品為12.5pF,卻是符合器件廠商的規(guī)格。 
  所謂的“負(fù)載容量”,通常是指器件發(fā)振時(shí)振蕩電路的負(fù)載容量。一般,當(dāng)負(fù)載電容增大時(shí),發(fā)振頻率跟著變低,這個(gè)關(guān)系曲線就稱為“頻率-負(fù)載容量特性”,每家振蕩器件多不太相同。這是因?yàn)檎袷幤骷恼駝?dòng)片設(shè)計(jì)與電極設(shè)計(jì)值不同的緣故。 
  注:發(fā)振電路的負(fù)載容量是由Cd與Cg兩個(gè)靜電容量以及寄生電容的合成容量。Cd與Cg若是過大,負(fù)載容量也會(huì)變大。 
  如果振蕩器件的負(fù)載容量與發(fā)振電路的負(fù)載容量不一致時(shí),振蕩頻率會(huì)偏移。于是該客戶將原本Cd/Cg的電容值從6pF變更成18pF的電容器,發(fā)振電路的負(fù)載容量從7pF增加到12.5pF。雖然是配合了,可是卻衍生出另一個(gè)問題。那就是電路負(fù)性阻抗的絕對(duì)值100KΩ,充裕度不足(等效串接阻抗45KΩ~75KΩ)。1.3~2倍的發(fā)振充裕度,不太符合5~10倍以上的期望值。若是使用環(huán)境的溫度變遷大的場(chǎng)合,擔(dān)心不會(huì)振蕩。 
  經(jīng)過反復(fù)更替電路定數(shù),依然不能解決問題。而且,振蕩器件的驅(qū)動(dòng)電力激勵(lì)位階增大,又有機(jī)會(huì)破損振蕩器件的副作用。 
  在必須使用IC內(nèi)藏回授阻抗與Inverter的前提下,也唯有變換另一種振蕩器件。若是換回原來7pF石英晶振,當(dāng)然沒有問題。但是不能達(dá)成開發(fā)的目標(biāo)。于是,與器件提供廠商長(zhǎng)談之后,換了品名與外型一樣,然而負(fù)載電容僅有9pF的新品。從新設(shè)計(jì)發(fā)振電路之后,無論頻率偏移還是充裕度以及激勵(lì)位階都在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。最終,解決了困擾廠商B的問題。 
  從這一個(gè)案例的克服,不難發(fā)覺振蕩器件的發(fā)振電路設(shè)計(jì),其實(shí)是頻率偏差、發(fā)振充裕度、激勵(lì)位階等三個(gè)條件滿足的連立方程式作業(yè),需要面面俱到。 
  另外實(shí)際的應(yīng)用上,還需要考慮到溫度變化的因素。攝氏25度頻率偏差為零,當(dāng)溫度無論是往上還是往下,發(fā)振頻率會(huì)滑落。因此,無妨將發(fā)振電路的負(fù)載容量做的比振蕩器件的負(fù)載容量小一點(diǎn)。 

    很明確的一個(gè)答案就是,若晶振頻率發(fā)生偏差,并非是晶振廠商的問題或者是晶振本身問題,實(shí)則最重要的還是晶振的負(fù)載電容。還有一個(gè)因素就是溫度范圍的影響。

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